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LPCVD 低壓化學氣相沉積設備

數量(臺) 價格
999 999999.00元/臺
  • 最小起訂: 1臺
  • 發貨地址: 遼寧 沈陽市
  • 發布日期:2026-01-12
  • 訪問量:271
咨詢電話:136-3275-0017
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鵬城微納技術(沈陽)有限公司

實名認證 企業認證
  • 企業地址:遼寧省沈陽市大東區望花南街15號
  • 營業執照:已審核營業執照
  • 經營模式: 生產加工-私營有限責任公司
  • 所在地區:遼寧 沈陽市
  • 家家通積分:419分
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詳細參數
品牌鵬城微納型號非標定制
產品用途Si3N4,SiO2及Poly硅薄膜沉積產品別名LPCVD設備
適用行業軍工業,企業,科研院所等產地沈陽

產品詳情

LPCVD低壓化學氣相沉積設備(科研型LPCVD)是在低壓高溫的條件下,通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)。可用于科學研究、實踐教學、小型器件制造。

設備結構及特點
1、小型化,方便實驗室操作和使用,大幅降低實驗成本
兩種基片尺寸2英寸或4英寸;每次裝片1~3片。
基片放置方式:配置三種基片托架,豎直、水平臥式、帶傾角。
基片形狀類型:不規則形狀的散片、φ2~4英寸標準基片。

2、設備為水平管臥式結構
由石英管反應室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統、真空系統、氣路系統、溫控系統、壓力控制系統及氣瓶柜等系統組成。
反應室由高純石英制成,耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設備電控部分采用了先進的檢測和控制系統,量值準確,性能穩定、可靠。

3、系統提供自動控制無揚塵裝置

LPCVD設備主要技術指標

類型

參數

 成膜類型

 Si3N4、Poly-Si、SiO2

 zui*gao溫度

 1200℃

 恒溫區長度

 根據用戶需要配置

 恒溫區控溫精度

 ≤±0.5℃

 工作壓強范圍

 13~1330Pa

 膜層不均勻性

 ≤±5%

 基片每次裝載數量

 標準基片:1~3片;不規則尺寸散片:若干

 壓力控制

 閉環充氣式控制

 裝片方式

 手動進出樣品

LPCVD 低壓化學氣相沉積設備(生產型 LPCVD)
設備功能

該設備是在低壓高溫的條件下,通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)。
可提供相關鍍膜工藝。

設備結構及特點:
設備為水平管臥式結構,由石英管反應室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統、真空系統、氣路系統、溫控系統、壓力控制系統及氣瓶柜等系統組成。
反應室由高純石英制成,耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設備電控部分采用了先進的檢測和控制系統,量值準確,性能穩定、可靠。
整個工藝過程由計算機對全部工藝流程進行管理,實現爐溫、氣體流量、壓力、閥門動作、泵的啟閉等工藝參數進行監測和自動控制。也可以手動控制。
設備主要技術指標

類型

參數

 成膜類型

 Si3N4、Poly-Si、SiO2

 zui*gao溫度

 1200℃

 恒溫區長度

 根據用戶需要配置

 恒溫區控溫精度

 ≤±0.5℃

 工作壓強范圍

 13~1330Pa

 膜層不均勻性

 ≤±5%

 基片每次裝載數量

 100片

 設備總功率

 16kW

 冷卻水用量

 2m3/h

 壓力控制

 閉環充氣式控制

 裝片方式

 懸臂舟自動送樣

LPCVD軟件控制界面

LPCVD手動運行界面

LPCVD實時運行監控界面

LPCVD自動運行界面


LPCVD工藝編制界面



關于我們

鵬城微納技術(沈陽)有限公司,由哈爾濱工業大學(深圳)與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。公司立足于技術前沿、市場前沿和產業前沿的交叉點,尋求創新yin*ling與可持續發展,解決產業的痛點和國產化難題,爭取產業鏈的自主可控。

鵬城微納技術(沈陽)有限公司是鵬城半導體技術(深圳)有限公司全資子公司,是半導體和泛半導體工藝和裝備的設計中心和生產制造基地。

公司核心業務是微納技術與gao*duan精密制造,具體應用領域包括半導體和泛半導體材料、工藝、裝備的研發設計、生產制造、工藝技術服務及裝備的升級改造,可為用戶提供工藝研發和打樣,可為生產企業提供生產型設備,可為科學研究提供科研設備。

公司人才團隊知識結構完整,有工程師哈工大教授和博士,為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊,還有來自工業界的高級裝備設計師團隊,他們具有30多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產制造的經驗。

公司依托于哈爾濱工業大學(深圳),具備xian*jin的半導體研發設備平臺和檢測設備平臺,可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市,具備半導體和泛半導體裝備的研發、生產、調試以及器件的中試、生產、銷售的能力。

HFCVD 熱絲化學氣相沉積設備

公司團隊技術儲備及創新能力

1998~2002

-設計了中試型的全自動化監控的MOCVD,用于外延硅基GaN

-設計制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機

2005

-設計制造了中國di*yi臺wan*quan自主知識產權的MBE(分子束外延設備),用于外延光電半導體材料

2007

-設計超高溫CVD 和MBE,用于4H晶型SiC外延生長

-設計制造了光學級金剛石生長設備(采用熱激發技術和CVD技術)

2015

-設計制造了金剛石涂層制備設備,制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜

2017

-優化Rheed設計,開始生產型MBE設計

-開始研發PSD方法外延GaN的工藝和裝備

2019

-設計制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產設備

2021

-鵬城半導體技術(深圳)有限公司成立

2022

-子公司鵬城微納成立;

-熱絲CVD設備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機、分子束外延與磁控濺射聯用設備多套出貨

-獲得ISO9001質量管理體系證書

2023

-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術攻關;

-科技型中小企業-入庫編號202344030500018573;

-創新型中小企業;

-獲50+項知識產權zhuan*li;

-企業信用評價3A*信用企業;/ISO三體系認證;

-子公司晶源半導體成立

2024~2026

-與jun*gong和上市頭部企業合作取得突破(X 光感受板及光電器件的薄膜生長等)

-鵬城微納子公司擴產

-TGV/TSV/TMV

-微光探測、醫療影像、復合硬質涂層

-gao*xin*ji*shu企業

13-6-3-2-7-5-0-0-1-7


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