產品詳情
生產型 高真空磁控濺射及離子輔助復合鍍膜機（PVD-1000B系列）該設備采用磁控濺射、離子輔助、反應濺射的工藝方法，在工件表面制備各種薄膜材料。該設備是集成了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應濺射鍍膜等工藝方法于一體的PVD設備。
可以制備單層膜、多層膜、摻雜膜、金屬膜及合金膜、化合物薄膜等。
設備結構及性能參數
真空室為圓柱形、上開蓋、前開門結構；使用材料均為奧氏體不銹鋼304/321，表面電化學拋光處理，無微觀毛刺，不會藏污納垢。
磁控濺射靶為矩形，沿真空室壁的圓周排列，可調整靶面與工件的距離。
樣品架為圓筒形，樣品裝載數量大；旋轉運動為齒輪驅動式，動力直連輸入，經齒輪驅動樣品臺轉盤旋轉，運行平穩，無抖動；密封可靠，故障率低。
加熱系統采用紅外加熱器，對真空環境無污染，加熱均勻；采用具有PID功能的智能溫控儀控制加熱功率。
電氣控制及操作系統工作穩定可靠，操作界面清晰大方，便于操作。
系統安全保護設置齊全，設備啟動后可實行無人運行。
設備重點性能參數
| 極限真空度 | 8X10^-5Pa |
| 工作背景真空度 | 8X10^-4Pa |
| 工作背景真空到達時間 | ＜40min（空氣濕度低于45％；開門時間＜30min條件下從大氣抽到工作真空度時間) |
| 樣品加熱溫度 | 室溫~300℃ |
| 樣品架公轉速度 | 3~10r/min連續可調 |
| 片內膜層均勻性 | ＜5% |
| 片間膜層均勻性 | ＜5% |
| 磁控靶數量 | 3靶（可根據用戶工藝擴展靶位） |
| 真空清洗離子靶 | 1靶 |
關于我們
鵬城微納技術（沈陽）有限公司，由哈爾濱工業大學（深圳）與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。公司立足于技術前沿、市場前沿和產業前沿的交叉點，尋求創新yin*ling與可持續發展，解決產業的痛點和國產化難題，爭取產業鏈的自主可控。
鵬城微納技術（沈陽）有限公司是鵬城半導體技術（深圳）有限公司全資子公司，是半導體和泛半導體工藝和裝備的設計中心和生產制造基地。
公司核心業務是微納技術與gao*duan精密制造，具體應用領域包括半導體和泛半導體材料、工藝、裝備的研發設計、生產制造、工藝技術服務及裝備的升級改造，可為用戶提供工藝研發和打樣，可為生產企業提供生產型設備，可為科學研究提供科研設備。
公司人才團隊知識結構完整，有工程師哈工大教授和博士，為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊，還有來自工業界的高級裝備設計師團隊，他們具有30多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產制造的經驗。
公司依托于哈爾濱工業大學（深圳），具備xian*jin的半導體研發設備平臺和檢測設備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導體和泛半導體裝備的研發、生產、調試以及器件的中試、生產、銷售的能力。
公司團隊技術儲備及創新能力
1998~2002
-設計了中試型的全自動化監控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-設計制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機
2005
-設計制造了中國di*yi臺wan*quan自主知識產權的MBE(分子束外延設備)，用于外延光電半導體材料
2007
-設計超高溫CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生長
-設計制造了光學級金剛石生長設備（采用熱激發技術和CVD技術）
2015
-設計制造了金剛石涂層制備設備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜
2017
-優化Rheed設計，開始生產型MBE設計
-開始研發PSD方法外延GaN的工藝和裝備
2019
-設計制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產設備
2021
-鵬城半導體技術（深圳）有限公司成立
2022
-子公司鵬城微納成立；
-熱絲CVD設備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機、分子束外延與磁控濺射聯用設備多套出貨
-獲得ISO9001質量管理體系證書
2023
-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術攻關；
-科技型中小企業-入庫編號202344030500018573；
-創新型中小企業；
-獲50+項知識產權zhuan*li；
-企業信用評價3A*信用企業；/ISO三體系認證；
-子公司晶源半導體成立
2024~2026
-與jun*gong和和核工業客戶合作取得突破（核反應堆材料的涂層工藝及裝備、X 光感受板及光電器件的薄膜生長）
-鵬城微納子公司擴產
-TGV/TSV/TMV
-微光探測、醫療影像、復合硬質涂層
-gao*xin*ji*shu企業
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