科研型 高真空磁控濺射鍍膜機 Circular Sputter系列是我司科研類及中試類高真空磁控濺射儀，其主要是用圓形磁控濺射靶進行濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質復合膜及其它化學反應膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。
可用于TGV/TSV/TMV 先進封裝的研發，高深徑比（≥10:1）的深孔金屬種子層鍍膜。

設備關鍵技術特點
秉承設備為工藝實現提供實現手段的理念，我們做了如下設計和工程實現，實際運行效果良好，為用戶的專用工藝實現提供了精準的工藝設備方案。
靶材背面和濺射靶表面的結合處理
- 靶材和靶面直接做到面接觸是很難的，如果做不到面接觸，接觸電阻將增大，導致離化電場的幅值不夠（接觸電阻增大，接觸面的電場分壓增大），導致鍍膜效果不好；電阻增大導致靶材發熱升溫，降低鍍膜質量。
- 靶材和靶面接觸不良，導致水冷效果不好，降低鍍膜質量。
- 增加一層特殊導電導熱的軟薄的物質，保證面接觸。

距離可調整
基片和靶材之間的距離可調整，以適應不同靶材的成膜工藝的距離要求。

角度可調
磁控濺射靶頭可調角度，以便針對不同尺寸基片的均勻性，做精準調控。
集成一體化柜式結構
一體化柜式結構優點：
安全性好（操作者不會觸碰到高壓部件和旋轉部件）
占地面積小，尺寸約為：長1100mm×寬780mm（標準辦公室門是800mm寬）（傳統設備大約為2200mm×1000mm），相同面積的工作場地，可以放兩臺設備。
控制系統
采用計算機＋PLC 兩級控制系統

安全性
- 電力系統的檢測與保護
- 設置真空檢測與報警保護功能
- 溫度檢測與報警保護
- 冷卻循環水系統的壓力檢測和流量
- 檢測與報警保護

勻氣技術
工藝氣體采用勻氣技術，氣場更均勻，鍍膜更均勻。
基片加熱技術
采用鎧裝加熱絲，由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內，所以高溫加熱過程中不釋放雜質物質，保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里，保證溫常的均勻，然后再對基片加熱。

真空度更高、抽速更快
真空室內外，全部電化學拋光，完全去除表面微觀毛刺叢林（在顯微鏡下可見），沒有微觀藏污納垢的地方，腔體內表面積減少一倍以上，鍍膜更純凈，真空度更高，抽速更快。
設備結構及性能：
1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室＋進樣室、鍍膜室+手套箱
2、磁控濺射靶數量及類型：1～6個靶，圓形平面靶
3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側向安裝
4、磁控濺射靶：射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容
5、基片可旋轉、可加熱、可升降、可加偏壓
6、通入反應氣體，可進行反應濺射鍍膜
7、操作方式：手動、半自動、全自動
8、如果需要更高本底真空需要配置LOADLOCK，超高真空磁控濺射靶并且 樣品傳遞采用折疊式，超高真空機械手或真空機械手，系統極限真空可達10^-8Pa
設備主要技術指標
- 基片托架：根據供件大小配置。
- 基片加熱器溫度：根據用戶供應要求配置。溫度可用電腦編程控制，可控可調。
- 基片自轉速度：2~20轉/分鐘。
- 基片架可加熱、可旋轉、可升降。
- 靶面到基片距離30mm~140mm 可調。
- Φ2～Φ12英寸平面圓形靶1～6支，配氣動靶控板，靶可擺頭調角度。
- 鍍膜室的極限真空：6X10^-5Pa~7X10^-8Pa，恢復工作背景真空7×10^-4Pa：30分鐘左右（新設備充干燥氮氣）
- 設備總體漏放率：關機12小時真空度≤5Pa
設備工作條件

類型	參數	備注
供電	～380V	三相五線制
功率	根據設備規模配置
冷卻水循環	根據設備規模配置
水壓	1.0～1.5×10^5Pa
制冷量	根據散熱量配置
水溫	18～25℃
氣動部件供氣壓力	0.5MPa～0.7MPa
質量流量控制器供氣壓力	0.05MPa～0.2MPa
工作環境溫度	10℃～40℃
工作環境濕度	≤50%

關于我們

鵬城微納技術（沈陽）有限公司，由哈爾濱工業大學（深圳）與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。公司立足于技術前沿、市場前沿和產業前沿的交叉點，尋求創新yin*ling與可持續發展，解決產業的痛點和國產化難題，爭取產業鏈的自主可控。

鵬城微納技術（沈陽）有限公司是鵬城半導體技術（深圳）有限公司全資子公司，是半導體和泛半導體工藝和裝備的設計中心和生產制造基地。

公司核心業務是微納技術與gao*duan精密制造，具體應用領域包括半導體和泛半導體材料、工藝、裝備的研發設計、生產制造、工藝技術服務及裝備的升級改造，可為用戶提供工藝研發和打樣，可為生產企業提供生產型設備，可為科學研究提供科研設備。

公司人才團隊知識結構完整，有工程師哈工大教授和博士，為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊，還有來自工業界的高級裝備設計師團隊，他們具有30多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產制造的經驗。

公司依托于哈爾濱工業大學（深圳），具備xian*jin的半導體研發設備平臺和檢測設備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導體和泛半導體裝備的研發、生產、調試以及器件的中試、生產、銷售的能力。

公司團隊技術儲備及創新能力

1998~2002

-設計了中試型的全自動化監控的MOCVD，用于外延硅基GaN

-設計制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機

2005

-設計制造了中國di*yi臺wan*quan自主知識產權的MBE(分子束外延設備)，用于外延光電半導體材料

2007

-設計超高溫CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生長

-設計制造了光學級金剛石生長設備（采用熱激發技術和CVD技術）

2015

-設計制造了金剛石涂層制備設備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜

2017

-優化Rheed設計，開始生產型MBE設計

-開始研發PSD方法外延GaN的工藝和裝備

2019

-設計制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產設備

2021

-鵬城半導體技術（深圳）有限公司成立

2022

-子公司鵬城微納成立；

-熱絲CVD設備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機、分子束外延與磁控濺射聯用設備多套出貨

-獲得ISO9001質量管理體系證書

2023

-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術攻關；

-科技型中小企業-入庫編號202344030500018573；

-創新型中小企業；

-獲50+項知識產權zhuan*li；

-企業信用評價3A*信用企業；/ISO三體系認證；

-子公司晶源半導體成立

2024~2026

-與jun*gong和和核工業客戶合作取得突破（核反應堆材料的涂層工藝及裝備、X 光感受板及光電器件的薄膜生長）

-鵬城微納子公司擴產

-TGV/TSV/TMV

-微光探測、醫療影像、復合硬質涂層

-gao*xin*ji*shu企業

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