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生產型 高真空磁控濺射/離子輔助/多弧復合鍍膜機

數量(臺) 價格
1 1.00元/臺
  • 最小起訂: 1臺
  • 發貨地址: 遼寧 沈陽市
  • 發布日期:2025-12-29
  • 訪問量:217
咨詢電話:136-3275-0017
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鵬城微納技術(沈陽)有限公司

實名認證 企業認證
  • 企業地址:遼寧省沈陽市大東區望花南街15號
  • 營業執照:已審核營業執照
  • 經營模式: 生產加工-私營有限責任公司
  • 所在地區:遼寧 沈陽市
  • 家家通積分:379分
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詳細參數
品牌鵬城微納型號PVD-1000S系列
物料形式其他控制方式手動/自動
加工定制適用領域電子,光學儀器,醫療器械,新能源,汽車,機械設備等
產地沈陽

產品詳情

生產型 高真空磁控濺射/離子輔助/多弧復合鍍膜機(PVD-1000S系列)該設備廣泛應用于銑刀、鉆頭、軸承、齒輪、鏡片等表面的硬質耐磨涂層制備,集成了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應濺射鍍膜等工藝方法于一體的PVD設備。

可以制備單層膜、多層膜、摻雜膜、金屬膜及合金膜、化合物薄膜等。
設備結構及性能參數
設備由PVD鍍膜室、集成封閉機柜、分子泵+旋片泵真空機組、真空測量系統、工藝氣路系統、磁控濺射靶、直線型離子源、工件架、靶擋板、工件旋轉機構、脈沖直流電源、高能量脈沖電源、中頻電源、射頻電源、偏壓電源、離子輔助鍍膜電源及控制系統、檢測及報警保護系統、水冷管路系統、循環制冷恒溫水箱、計算機+PLC 兩級控制系統組成。
- 整機外形尺寸:2500mm X 2500mm X 2000mm。也可根據用戶產能規模定制尺寸。
- 磁控濺射靶為矩形,靶面尺寸80mm X 300mm,沿真空室壁的圓周排列,可以隨時在線調整靶面與樣片的距離,靶頭伸縮距離150mm。

- 也可根據用戶工件尺寸,配置不同的靶材尺寸。
- 直線型離子源沿真空室壁的圓周排列,數量兩組,工作氣壓0.1-0.3Pa,能量200-5000eV可調,束流強度0.2-1A。
- 工件架為圓筒形結構,工件沿圓周排列,每個工位工件既自轉又公轉。樣品裝載數量大;旋轉運動運行平穩,無抖動;密封可靠。
- 工件可加偏壓。
- 加熱系統采用紅外加熱器,對真空環境無污染,加熱均勻;具有PID功能的智能溫控儀控制加熱功率。工件zui*gao可加熱至500攝氏度。
設備重點性能參數

極限真空度  7×10^-5Pa
工作背景真空度  8×10^-4Pa
工作背景真空到達時間  <30min(空氣濕度低于45%;開門時間<30min條件下從大氣抽到工作真空度時間)
保壓  關機12小時保壓<10Pa
濺射室外形尺寸  直徑 875mm × 高度 1000mm
整機尺寸  長 2500mm × 寬 2500mm × 高 2000mm
樣品加熱溫度  室溫~500℃
樣品架公轉速度  0;3~12r/min連續可調
片內膜層均勻性  <5%
片間膜層均勻性  <5%
磁控靶數量  4靶(可根據用戶工藝擴展靶位)
直線型離子源  2靶
磁控靶規格  80mm × 300mm??筛鶕脩艄ぜ叽纾渲脤陌幸幐?。
靶材規格  80mm × 100mm × 8mm??筛鶕脩艄ぜ叽纾渲脤陌胁囊幐?。

關于我們

鵬城微納技術(沈陽)有限公司,由哈爾濱工業大學(深圳)與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。公司立足于技術前沿、市場前沿和產業前沿的交叉點,尋求創新yin*ling與可持續發展,解決產業的痛點和國產化難題,爭取產業鏈的自主可控。

鵬城微納技術(沈陽)有限公司是鵬城半導體技術(深圳)有限公司全資子公司,是半導體和泛半導體工藝和裝備的設計中心和生產制造基地。

公司核心業務是微納技術與gao*duan精密制造,具體應用領域包括半導體和泛半導體材料、工藝、裝備的研發設計、生產制造、工藝技術服務及裝備的升級改造,可為用戶提供工藝研發和打樣,可為生產企業提供生產型設備,可為科學研究提供科研設備。

公司人才團隊知識結構完整,有工程師哈工大教授和博士,為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊,還有來自工業界的高級裝備設計師團隊,他們具有30多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產制造的經驗。

公司依托于哈爾濱工業大學(深圳),具備xian*jin的半導體研發設備平臺和檢測設備平臺,可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市,具備半導體和泛半導體裝備的研發、生產、調試以及器件的中試、生產、銷售的能力。

HFCVD 熱絲化學氣相沉積設備

公司團隊技術儲備及創新能力

1998~2002

-設計了中試型的全自動化監控的MOCVD,用于外延硅基GaN

-設計制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機

2005

-設計制造了中國di*yi臺wan*quan自主知識產權的MBE(分子束外延設備),用于外延光電半導體材料

2007

-設計超高溫CVD 和MBE,用于4H晶型SiC外延生長

-設計制造了光學級金剛石生長設備(采用熱激發技術和CVD技術)

2015

-設計制造了金剛石涂層制備設備,制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜

2017

-優化Rheed設計,開始生產型MBE設計

-開始研發PSD方法外延GaN的工藝和裝備

2019

-設計制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產設備

2021

-鵬城半導體技術(深圳)有限公司成立

2022

-子公司鵬城微納成立;

-熱絲CVD設備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機、分子束外延與磁控濺射聯用設備多套出貨

-獲得ISO9001質量管理體系證書

2023

-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術攻關;

-科技型中小企業-入庫編號202344030500018573;

-創新型中小企業;

-獲50+項知識產權zhuan*li;

-企業信用評價3A*信用企業;/ISO三體系認證;

-子公司晶源半導體成立

2024~2026

-與jun*gong和和核工業客戶合作取得突破(核反應堆材料的涂層工藝及裝備、X 光感受板及光電器件的薄膜生長)

-鵬城微納子公司擴產

-TGV/TSV/TMV

-微光探測、醫療影像、復合硬質涂層

-gao*xin*ji*shu企業

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