產品詳情
生產型TGV/TSV/TMV 高真空磁控濺射鍍膜機(Sputter-2000W系列)該設備用于玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的金屬種子層鍍膜,深徑比>10:1。例如:用于基板鍍膜工序Cu/Ti微結構,Au/TiW傳輸導線雙體系膜層淀積能力,為微系統集成密度提升提供支撐。
本設備優點:膜層均勻性及重復性高,膜層附著力強,設備依據工藝配方進行可編程自動化控制。
設備結構及性能參數
- 單鍍膜室、雙鍍膜室、多腔體鍍膜室
- 臥式結構、立式結構
- 樣品傳遞:直線式
- 磁控濺射靶數量及類型:多支矩形磁控靶
- 磁控濺射靶:直流、射頻、中頻、高能脈沖兼容
- 基片可加熱、可升降、可加偏壓
- 通入反應氣體,可進行反應濺射鍍膜
- 操作方式:手動、半自動、全自動
- 基片托架:根據基片尺寸配置
- 基片幅面:2、4、6、8、10英寸及客戶zhi*ding尺寸
- 進/出樣室極限真空度:≤8X10-5Pa
- 進/出樣室工作背景真空度:≤2X10-3Pa
- 鍍膜室的極限真空度:5X10-5Pa,
工作背景真空度:8X10-4Pa
- 膜層均勻性:<5%(片內),<5%(片間)
- 設備總體漏放率:關機12小時真空度≤10Pa
工作條件
| 類型 | 參數 | 備注 |
| 供電 | ~380V | 三相五線制 |
| 功率 | 根據設備規模配置 |
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| 冷卻水循環 | 根據設備規模配置 |
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| 水壓 | 1.0~1.5×105Pa |
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| 制冷量 | 根據散熱量配置 |
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| 水溫 | 18~25℃ |
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| 氣動部件供氣壓力 | 0.5MPa~0.7MPa |
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| 質量流量控制器供氣壓力 | 0.05MPa~0.2MPa |
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| 工作環境溫度 | 10℃~40℃ |
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| 工作環境濕度 | ≤50% |
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關于我們
鵬城微納技術(沈陽)有限公司,由哈爾濱工業大學(深圳)與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。公司立足于技術前沿、市場前沿和產業前沿的交叉點,尋求創新yin*ling與可持續發展,解決產業的痛點和國產化難題,爭取產業鏈的自主可控。
鵬城微納技術(沈陽)有限公司是鵬城半導體技術(深圳)有限公司全資子公司,是半導體和泛半導體工藝和裝備的設計中心和生產制造基地。
公司核心業務是微納技術與gao*duan精密制造,具體應用領域包括半導體和泛半導體材料、工藝、裝備的研發設計、生產制造、工藝技術服務及裝備的升級改造,可為用戶提供工藝研發和打樣,可為生產企業提供生產型設備,可為科學研究提供科研設備。
公司人才團隊知識結構完整,有工程師哈工大教授和博士,為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊,還有來自工業界的高級裝備設計師團隊,他們具有30多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產制造的經驗。
公司依托于哈爾濱工業大學(深圳),具備xian*jin的半導體研發設備平臺和檢測設備平臺,可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市,具備半導體和泛半導體裝備的研發、生產、調試以及器件的中試、生產、銷售的能力。
公司團隊技術儲備及創新能力
1998~2002
-設計了中試型的全自動化監控的MOCVD,用于外延硅基GaN
-設計制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機
2005
-設計制造了中國di*yi臺wan*quan自主知識產權的MBE(分子束外延設備),用于外延光電半導體材料
2007
-設計超高溫CVD 和MBE,用于4H晶型SiC外延生長
-設計制造了光學級金剛石生長設備(采用熱激發技術和CVD技術)
2015
-設計制造了金剛石涂層制備設備,制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜
2017
-優化Rheed設計,開始生產型MBE設計
-開始研發PSD方法外延GaN的工藝和裝備
2019
-設計制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產設備
2021
-鵬城半導體技術(深圳)有限公司成立
2022
-子公司鵬城微納成立;
-熱絲CVD設備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機、分子束外延與磁控濺射聯用設備多套出貨
-獲得ISO9001質量管理體系證書
2023
-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術攻關;
-科技型中小企業-入庫編號202344030500018573;
-創新型中小企業;
-獲50+項知識產權zhuan*li;
-企業信用評價3A*信用企業;/ISO三體系認證;
-子公司晶源半導體成立
2024~2026
-與jun*gong和和核工業客戶合作取得突破(核反應堆材料的涂層工藝及裝備、X 光感受板及光電器件的薄膜生長)
-鵬城微納子公司擴產
-TGV/TSV/TMV
-微光探測、醫療影像、復合硬質涂層
-gao*xin*ji*shu企業
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