產品詳情
高真空電阻熱蒸發鍍膜機（PVD鍍膜設備）采用電阻熱蒸發技術，它是在高真空條件下，通過加熱材料的方法，在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜。可用于生產和科學實驗，可根據用戶要求專門訂制；可用于材料的物理和化學研究；可用于制備金屬導電電極；可用于有機材料的物理化學性能研究實驗、有機半導體器件的原理研究實驗、OLED實驗研究及有機太陽能薄膜電池研究實驗等。
設備構成
- 單鍍膜室
- 單鍍膜室＋進樣室
- 單鍍膜室＋手套箱（可將鍍膜室放在手套箱內）
- 單鍍膜室＋進樣室＋手套箱（可將鍍膜室放在手套箱內）
- 多鍍膜室＋樣品傳遞室＋手套箱（組成團簇式結構，樣品傳遞采用真空機械手）
設備組成
電阻熱蒸發源組件、樣品掩膜擋板系統、真空獲得系統及真空測量系統、分子泵（或冷泵）真空機組、旋轉基片加熱臺、工作氣路、手套箱連接部件、樣品傳遞機構，膜厚控制系統、電控系統、恒溫冷卻水系統等組成。
熱蒸發源類型和數量，可根據用戶需要進行配置。
可選件：膜厚監控儀，恒溫制冷水箱。
熱蒸發源種類及配置
電阻熱蒸發源組件：數量：1～12套（可根據用戶要求配裝）；
電阻熱蒸發源種類：鉭（鎢或鉬）金屬舟熱蒸發源組件、石英舟熱蒸發源組件、鎢極或鎢藍熱蒸發源組件、鉭爐熱蒸發源組件（配氮化硼坩堝或陶瓷坩堝）、束源爐熱蒸發組件（配石英坩堝或氮化硼坩堝）。
高真空電阻熱蒸發鍍膜機
工作條件（實驗室應具備的設備工作條件）
供電：4kW，三相五線制～AC 380V
工作環境濕度：10℃～40℃
工作環境溫度：≤50%
冷卻循環水：0.2m3/h，水溫18℃～25℃
水壓：0.15MPa ～ 0.25MPa
真空性能
極限真空：7×10^-5Pa～7×10^-6Pa
設備總體漏放率：關機12小時，≤10Pa
操作方式
手動、半自動
生產型磁控濺射離子束多弧鍍膜機
生產型磁控濺射與離子束鍍膜機
科研型柜式集成一體化高真空熱蒸發鍍膜機
關于我們
鵬城微納技術（沈陽）有限公司，由哈爾濱工業大學（深圳）與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。公司立足于技術前沿、市場前沿和產業前沿的交叉點，尋求創新yin*ling與可持續發展，解決產業的痛點和國產化難題，爭取產業鏈的自主可控。
鵬城微納技術（沈陽）有限公司是鵬城半導體技術（深圳）有限公司全資子公司，是半導體和泛半導體工藝和裝備的設計中心和生產制造基地。
公司核心業務是微納技術與gao*duan精密制造，具體應用領域包括半導體和泛半導體材料、工藝、裝備的研發設計、生產制造、工藝技術服務及裝備的升級改造，可為用戶提供工藝研發和打樣，可為生產企業提供生產型設備，可為科學研究提供科研設備。
公司人才團隊知識結構完整，有工程師哈工大教授和博士，為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊，還有來自工業界的高級裝備設計師團隊，他們具有30多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產制造的經驗。
公司依托于哈爾濱工業大學（深圳），具備xian*jin的半導體研發設備平臺和檢測設備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導體和泛半導體裝備的研發、生產、調試以及器件的中試、生產、銷售的能力。
公司團隊技術儲備及創新能力
1998~2002
-設計了中試型的全自動化監控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-設計制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機
2005
-設計制造了中國di*yi臺wan*quan自主知識產權的MBE(分子束外延設備)，用于外延光電半導體材料
2007
-設計超高溫CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生長
-設計制造了光學級金剛石生長設備（采用熱激發技術和CVD技術）
2015
-設計制造了金剛石涂層制備設備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜
2017
-優化Rheed設計，開始生產型MBE設計
-開始研發PSD方法外延GaN的工藝和裝備
2019
-設計制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產設備
2021
-鵬城半導體技術（深圳）有限公司成立
2022
-子公司鵬城微納成立；
-熱絲CVD設備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機、分子束外延與磁控濺射聯用設備多套出貨
-獲得ISO9001質量管理體系證書
2023
-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術攻關；
-科技型中小企業-入庫編號202344030500018573；
-創新型中小企業；
-獲50+項知識產權zhuan*li；
-企業信用評價3A*信用企業；/ISO三體系認證；
-子公司晶源半導體成立
2024~2026
-與jun*gong和上市頭部企業合作取得突破（X 光感受板及光電器件的薄膜生長等）
-鵬城微納子公司擴產
-TGV/TSV/TMV
-微光探測、醫療影像、復合硬質涂層
-gao*xin*ji*shu企業
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