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摻雜是把雜質引入半導體材料的晶體結構中,哈默納科單晶硅諧波傳動CSF-11-50-2A-R以改變半導體材料電學性能的一種方法。在芯片制造中常用兩種方法向硅片中引入雜質元素,即熱擴散和離子注入。熱擴散利用高溫驅動雜質穿過硅的晶格結構,這種方法受到時間和溫度的影響。離子注入通過高壓離子轟擊把雜質引入硅片。哈默納科單晶硅諧波傳動CSF-11-50-2A-R雜質通過與硅片發生原子級的高能碰撞,才能被注入。
擴散分為三種,即氣態、液態和固態。在半導體制造中,哈默納科單晶硅諧波傳動CSF-11-50-2A-R利用高溫擴散驅動雜質穿過硅晶格。硅中固態雜質的擴散需要三個步驟:預淀積、推進和激活。



