產品詳情
氧化硅拋光液（也稱膠態二氧化硅拋光液）是化學機械拋光（CMP）工藝中的核心耗材，核心作用是通過化學腐蝕與機械研磨的協同作用，實現硬脆材料表面高效大余量平坦化加工，精準控制材料去除速率，確保拋光工件達到基礎平坦、無深度損傷的加工表面要求。
高效實現大余量平坦化，兼顧去料效率與制程銜接性。
“高效大余量平坦化” 是行業核心要求，指通過拋光快速去除基材加工余量、修正表面形貌，將材料表面平整度控制在適配后續中精拋的標準范圍，實現無深劃痕、無崩邊的均勻加工表面，以實現：
- 超高加工效率：快速完成粗拋 / 粗精拋工序，大幅縮短整體加工周期，提升規模化生產產能。
- 低損傷去料：避免拋光過程對基材造成深層物理 / 化學損傷，保障后續中精拋工序的加工基礎。
- 精準制程銜接：實現均勻一致的拋光效果，完美匹配后續中拋、精拋工序的表面要求，提升整體制程良率。
銘衍海氧化硅拋光液 MYH-SOP150 產品特點
- 粒度精準：90-110nm分散磨粒，分布窄，實現大余量高效去除，無深劃痕、無崩邊。
- 切削力強勁：高效研磨各類高硬度硬脆材料，快速去除加工余量，粗拋效率顯著提升。
- 懸浮穩定：久置不分層、不沉淀、不團聚，批次間性能高度一致，拋光重復性好。
- 環保易清洗：水性體系，無重金屬殘留，無難溶有機成分，純水可快速沖凈無殘留。
- 適配性強：適配半導體、光學、精密陶瓷等多領域粗拋 / 粗精拋需求，兼容主流拋光機臺與拋光墊。
銘衍海氧化硅拋光液 MYH-SOP150 應用范圍
氧化硅拋光液主要用于各類高硬度硬脆材料與器件的化學機械粗拋 / 粗精拋加工，核心作用是高效去除加工余量、修正基材表面形貌、實現基礎平坦化，為后續中拋、精拋工序奠定優質基礎，適用產品如下：
一、半導體晶圓與襯底（核心應用）
單晶硅 / 多晶硅晶圓粗拋、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等化合物半導體襯底粗精拋
半導體封裝基板、晶圓級封裝器件前期基礎拋光
二、光學晶體與光學器件
藍寶石襯底（LED / 光學專用）粗拋、石英晶體、光學玻璃粗精拋
鈮酸鋰（LN）/ 鉭酸鋰（LT）晶體前期去料、紅外光學晶體基礎形貌修正
三、精密陶瓷與電子器件
氧化鋯陶瓷、氧化鋁精密陶瓷器件粗拋
硬盤基片前期基礎拋光、玻璃蓋板粗精拋、精密金屬基片表面大余量研磨
四、特種精密器件與基材
光纖連接器插芯前期粗研磨、保偏光纖器件基礎平坦化
微電子機械系統（MEMS）器件基材粗拋、特種石英器件、稀土摻雜光學基材粗精拋
常見類型
專用粗拋液：僅用于粗拋 / 粗精拋工序，切削力極強、去料速率高，適配規模化高效加工需求。
多段式拋光液：兼顧粗拋與中拋，適配簡易加工制程，簡化操作流程、減少工序切換成本。
定制化拋光液：可根據客戶需求調整粒徑、固含量、pH 值，適配特殊高硬度硬脆材質 / 工藝拋光。
儲存與使用
溫度：5℃ ~ 35℃，防凍（<0℃磨粒結塊失效）、防高溫（>35℃破壞體系穩定性）、防曬避光密封存放。
使用前：充分攪拌均勻，確保磨粒分散一致；可原液使用或按 1:1~1:10 比例用去離子水稀釋，稀釋后再次充分攪勻，避免濃度不均影響拋光效果。
