產品詳情
氧化硅拋光液（也稱膠態二氧化硅拋光液）是化學機械拋光（CMP）工藝中的核心耗材，核心作用是通過化學腐蝕與機械研磨的協同作用，實現材料表面高效精密平坦化加工，精準控制材料去除量，確保拋光工件達到高平整度、低損傷的表面加工要求。
高效實現精密平坦化，兼顧去料速率與加工一致性。
“高效精密平坦化” 是行業核心要求，指通過拋光快速去除基材余量的同時，將材料表面粗糙度控制在納米級范圍，實現無劃痕、無麻點的均勻加工表面，以實現：
- 高加工效率：快速完成中拋 / 粗精拋工序，縮短整體加工周期，提升生產產能。
- 低損傷成型：避免拋光過程對基材造成深度物理損傷，保障后續精拋工序的加工基礎。
- 制程適配性：實現均勻一致的拋光效果，精準匹配后續精拋 / 終拋工序的表面要求，提升整體制程良率。
銘衍海氧化硅拋光液 MYH-SOP100 產品特點
- 粒度精準：50-60nm分布窄，實現微米級高效去除，無深度劃痕。
- 切削力優：高效研磨各類硬脆材料，快速去除加工余量，拋光效率高。
- 懸浮穩定：久置不分層、不沉淀、不團聚，批次間性能一致，拋光重復性好。
- 環保易清洗：水性體系，無重金屬殘留，無有機難溶成分，純水可快速沖凈。
- 適配性強：適配半導體、光學、精密陶瓷等多領域中拋 / 粗精拋需求，兼容主流拋光機臺與拋光墊。
銘衍海氧化硅拋光液 MYH-SOP100 應用范圍
氧化硅拋光液主要用于各類精密硬脆材料與器件的化學機械中拋 / 粗精拋加工，核心作用是高效去除加工余量、實現基材表面初步平坦化、為后續精拋工序奠定基礎，適用產品如下：
一、半導體晶圓與襯底（核心應用）
單晶硅 / 多晶硅晶圓粗精拋、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等化合物半導體襯底中拋
半導體封裝基板、晶圓級封裝器件前期拋光
二、光學晶體與光學器件
藍寶石襯底（LED / 光學專用）中拋、石英晶體、光學玻璃粗精拋
鈮酸鋰（LN）/ 鉭酸鋰（LT）晶體前期拋光、紅外光學晶體基礎平坦化
三、精密陶瓷與電子器件
氧化鋯陶瓷、氧化鋁精密陶瓷器件中拋
硬盤基片前期拋光、玻璃蓋板粗精拋、精密金屬基片表面研磨
四、光通信與特種精密器件
光纖連接器插芯前期研磨、保偏光纖器件基礎拋光
微電子機械系統（MEMS）器件基材平坦化、特種石英器件粗精拋
常見類型
專用中拋液：僅用于中拋 / 粗精拋工序，切削力強、去料速率高，適配高效加工需求。
多工序拋光液：兼顧粗拋與中拋，適配簡易加工制程，簡化操作流程、提升生產效率。
定制化拋光液：可根據客戶需求調整粒徑、固含量、pH 值，適配特殊硬脆材質 / 工藝拋光。
儲存與使用
溫度：5℃ ~ 35℃，防凍（<0℃磨粒結塊失效）、防高溫（>35℃破壞體系穩定性）、防曬避光。
使用前：充分攪拌均勻，確保磨粒分散一致；可原液使用或按 1:1~1:8 比例用去離子水稀釋，稀釋后再次攪勻。
