主營產品：上海諧波減速機|哈默納科|harmonic|NIKUNI|山洋
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| 詳細參數 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號 | CSF-17-80-2A-R |
| 類型 | 諧波減速器 | 載荷狀態 | 中等沖擊載荷 |
| 傳動比級數 | 雙級 | 軸的相對位置 | 立式加速器 |
| 傳動布置形式 | 擺線式 | 加工定制 | 是 |
| 樣品或現貨 | 現貨 | 齒面硬度 | 硬齒面 |
| 布局形式 | 三環式 | 用途 | 減速機 |
| 輸入轉速 | 3000rpm | 額定功率 | 35kw |
| 輸出轉速范圍 | 47.6rpm | 許用扭矩 | 691N.m |
| 使用范圍 | 礦產 | 減速比 | 464 |
| 產地 | 日本 | ||
設備也跟著分為四類：
(a)高溫爐管，(b)微影機臺，(c)化學清洗蝕刻臺，(d)電漿真空腔日本HD無塵設備諧波CSF-17-80-2A-R 室。其中(a)~(c)機臺依序對應 (1)~(3)制程，而新近發展的第(d)項機臺，則分別應用于制程(1)與(3)。?由于坊間不乏介紹半導體制程及設備的中文書籍，故本文不刻意錦上添花，謹就筆者認為較有趣的觀點，日本HD無塵設備諧波CSF-17-80-2A-R 描繪一二！
(一)氧化（爐）（Oxidation）
對硅半導體而言，只要在高于或等于1050℃的爐管中，如圖2-3所示，通入氧氣或水汽，自然可以將硅晶的表面予以氧化，生長所謂干氧層(dryz/gateoxide)或濕氧層(wet/fieldoxide)日本HD無塵設備諧波CSF-17-80-2A-R ，當作電子組件電性絕緣或制程掩膜之用。氧化是半導體制程中，最干凈、單純的一種；這也是硅晶材料能夠取得優勢的特性之一
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