產品詳情
氫氧化鋯涂覆多晶硅表面,核心是經退火轉化為致密氧化鋯(ZrO?)涂層,實現鈍化、抗 PID、絕緣增強與防腐保護,已在光伏與半導體領域規模化應用。
主要作用:
1、界面鈍化:Zr (OH)?分解形成 ZrO?,與 Si–OH 鍵結合,鈍化表面懸掛鍵,抑制載流子復合
性能影響:少子壽命延長 2–3 倍,光伏電池效率提升 0.8–1.2 個百分點
2、抗 PID 增強:ZrO?高介電常數(ε≈25)與化學穩定性,阻斷 Na?/K?遷移,抑制極化
性能影響:組件 PID 衰減<1%/ 年,戶外壽命延長 3–5 年
3、絕緣與介電優化:ZrO?替代 SiO?作柵極介質,介電常數提升 6–8 倍,適配高容量器件
性能影響:半導體器件漏電流降低 50%,擊穿電壓提升 40%+
4、腐蝕防護:ZrO?致密膜層阻隔 Cl?、H?與水汽,提升耐酸堿 / 鹽霧能力;
性能影響:多晶硅在 pH 2–12 環境下耐腐蝕能力提升 3 倍

