產(chǎn)品詳情
(二)IC特性
◆±5%恒壓恒流高精度
◆內(nèi)置600V功率MOSFET (SF5922/6/8)
◆ 小于30mW超低待機功耗,達(dá)到“五星級充電器”標(biāo)準(zhǔn)
◆原邊反饋(PSR)控制,無需光耦和TL431
◆內(nèi)置環(huán)路補償,無需外部補償電容
◆恒壓模式下內(nèi)置專利的線壓降補償(Cable drop compensation)
◆自動補償線輸入電壓、電感感量變化,實現(xiàn)高精度
◆內(nèi)置軟啟動
◆所有管腳浮空保護
◆超低啟動電流
◆PFM控制帶來良好的EMI性能
◆輸出過壓保護
◆逐周期電流限制
◆內(nèi)置前沿消隱(Leading edge blanking)
◆VDD 欠壓保護(UVLO)
◆VDD 過壓保護及鉗位



