產品詳情
ambus公司最早提出的一種內存規格，采用了新一代高速簡單內存架構，基于一種RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機）理論，從而可以減少數據的復雜性，使得整個系統性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit總線，在一個時鐘周期內，可以在上升沿和下降沿的同時傳輸數據，這樣它的實際速度就為400MHz×2=800MHz，理論帶寬為（16bit×2×400MHz/8）1.6GB/s，相當于PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit字節，額外的一比特是屬于保留比特，可能以后會作為：ECC(ErroI·Checking and Correction，錯誤檢查修正）校驗位。Rambus的時鐘可以高達400MHz，而且僅使用了30條銅線連接內存控制器和RIMM(Rambus In-line M
emoryModules，Rambus內嵌式內存模塊），減少銅線的長度和數量就可以降低數據傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高內存的工作頻率。不過在高頻率下，其發出的熱量肯定會增加，因此第一款Rambus內存甚至需要自帶散熱風扇。
DDR3時代
DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓，從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3目前最高能夠達到2000Mhz的速度，盡管目前最為快速的DDR2內存速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3內存模組仍會從1066Mhz起跳。
一、DDR3在DDR2基礎上采用的新型設計：
1．8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
2．采用點對點的拓樸架構，以減輕地址/命令與控制總線的負擔。
3．采用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。部分廠商已經推出1.35V的低壓版DDR3內存。
DDR4時代
內存廠商預計在2012年，DDR4時代將開啟，起步頻率降至1.2V，而頻率提升至2133MHz，次年進一步將電壓降至1.0V，頻率則實現2667MHz。[1]
新一代的DDR4內存將會擁有兩種規格。根據多位半導體業界相關人員的介紹，DDR4內存將會是Single-endedSignaling( 傳統SE信號）方式DifferentialSignaling( 差分信號技術）方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也對此表示了確認。預計這兩個標準將會推出不同的芯片產品，因此在DDR4內存時代我們將會看到兩個互不兼容的內存產品。
[2]
其他內存
SRAM
SRAM（Static RAM）意為靜態隨機存儲器。SRAM數據不需要通過不斷地刷新來保存，因此速度比DRAM（動態隨機存儲器）快得多。但是SRAM具有的缺點是：同容量相比DRAM需要非常多的晶體管，發熱量也非常大。因此SRAM難以成為大容量的主存儲器，通常只用在CPU、GPU中作為緩存，容量也只有幾十K至幾十M。
SRAM目前發展出的一個分支是eSRAM（Enhanced SRAM），為增強型SRAM，具備更大容量和更高運行速度。
RDRAM
RDRAM是由RAMBUS公司推出的內存。RDRAM內存條為16bit，但是相比同期的SDRAM具有更高的運行頻率，性能非常強。
然而它是一個非開放的技術，內存廠商需要向RAMBUS公司支付授權費。并且RAMBUS內存的另一大問題是不允許空通道的存在，必須成對使用，空閑的插槽必須使用終結器。因此，除了短壽的Inb i820和i850芯片組對其提供支持外，PC平臺沒有支持RAMBUS內存的芯片組。
可以說，它是一個優秀的技術，但不是一個成功的商業產品。
XDR RAM
XDR內存是RDRAM的升級版。依舊由RAMBUS公司推出。XDR就是“eXtreme Data Rate”的縮寫。
XDR依舊存在RDRAM不能大面普及的那些不足之處。因此，XDR內存的應用依舊非常有限。比較常見的只有索尼的PS3游戲機。
Fe-RAM
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點。由于數據是通過鐵元素的磁性進行存儲，因此，鐵電存儲器無需不斷刷新數據。其運行速度將會非常樂觀。而且它相比SRAM需要更少的晶體管。它被業界認為是SDRAM的最有可能的替代者。
emoryModules，Rambus內嵌式內存模塊），減少銅線的長度和數量就可以降低數據傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高內存的工作頻率。不過在高頻率下，其發出的熱量肯定會增加，因此第一款Rambus內存甚至需要自帶散熱風扇。DDR3時代
DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓，從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3目前最高能夠達到2000Mhz的速度，盡管目前最為快速的DDR2內存速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3內存模組仍會從1066Mhz起跳。
一、DDR3在DDR2基礎上采用的新型設計：
1．8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
2．采用點對點的拓樸架構，以減輕地址/命令與控制總線的負擔。
3．采用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。部分廠商已經推出1.35V的低壓版DDR3內存。
DDR4時代
內存廠商預計在2012年，DDR4時代將開啟，起步頻率降至1.2V，而頻率提升至2133MHz，次年進一步將電壓降至1.0V，頻率則實現2667MHz。[1]
新一代的DDR4內存將會擁有兩種規格。根據多位半導體業界相關人員的介紹，DDR4內存將會是Single-endedSignaling( 傳統SE信號）方式DifferentialSignaling( 差分信號技術）方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也對此表示了確認。預計這兩個標準將會推出不同的芯片產品，因此在DDR4內存時代我們將會看到兩個互不兼容的內存產品。
[2]
其他內存
SRAM
SRAM（Static RAM）意為靜態隨機存儲器。SRAM數據不需要通過不斷地刷新來保存，因此速度比DRAM（動態隨機存儲器）快得多。但是SRAM具有的缺點是：同容量相比DRAM需要非常多的晶體管，發熱量也非常大。因此SRAM難以成為大容量的主存儲器，通常只用在CPU、GPU中作為緩存，容量也只有幾十K至幾十M。
SRAM目前發展出的一個分支是eSRAM（Enhanced SRAM），為增強型SRAM，具備更大容量和更高運行速度。
RDRAM
RDRAM是由RAMBUS公司推出的內存。RDRAM內存條為16bit，但是相比同期的SDRAM具有更高的運行頻率，性能非常強。
然而它是一個非開放的技術，內存廠商需要向RAMBUS公司支付授權費。并且RAMBUS內存的另一大問題是不允許空通道的存在，必須成對使用，空閑的插槽必須使用終結器。因此，除了短壽的Inb i820和i850芯片組對其提供支持外，PC平臺沒有支持RAMBUS內存的芯片組。
可以說，它是一個優秀的技術，但不是一個成功的商業產品。
XDR RAM
XDR內存是RDRAM的升級版。依舊由RAMBUS公司推出。XDR就是“eXtreme Data Rate”的縮寫。
XDR依舊存在RDRAM不能大面普及的那些不足之處。因此，XDR內存的應用依舊非常有限。比較常見的只有索尼的PS3游戲機。
Fe-RAM
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點。由于數據是通過鐵元素的磁性進行存儲，因此，鐵電存儲器無需不斷刷新數據。其運行速度將會非常樂觀。而且它相比SRAM需要更少的晶體管。它被業界認為是SDRAM的最有可能的替代者。
