產品詳情
用保留內存中未分配使用的地址空間建立，其物理存儲器由物理擴展存儲器取得。UMB由EMS管理，其大小可由EMS驅動程序設定。
●高端內存（HMA）擴展內存中的第一個64KB區域（1024KB～1088KB）。由HIMEM.SYS建立和管理。
●XMS內存符合XMS規范管理的擴展內存區。其驅動程序為HIMEM.SYS。
●EMS內存符合EMS規范管理的擴充內存區。其驅動程序為EMM386.EXE等。
內存：隨機存儲器（RAM），主要存儲正在運行的程序和要處理的數據。
頻率
內存主頻和CPU主頻一樣，習慣上被用來表示內存的速度，它代表著該內存所能達到的最高工作頻率。內存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計量的。內存主頻越高在一定程度上代表著內存所能達到的速度越快。內
內存頻率測試圖
內存頻率測試圖
存主頻決定著該內存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內存頻率是800MHz的DDR2內存，以及一些內存頻率更高的DDR3內存。
大家知道，計算機系統的時鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動起來，這一震動可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動以正弦調和變化的電流的形式表現出來，這一變化的電流就是時鐘信號。而內存本身并不具備晶體振蕩器，因此內存工作時的時鐘信號是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時鐘發生器提供的，也就是說內存無法決定自身的工作頻率，其實際工作頻率是由主板來決定的。
DDR內存和DDR2內存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內存顆粒實際的工作頻率，但是由于DDR內存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的兩倍；而DDR2內存每個時鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。
發展
在計算機誕生初期并不存在內存條的概念，最早的內存是以磁芯的形式排列在線路上，每個磁芯與晶體管組成的一個雙穩態電路作為一比特（BIT）的存儲器，每一比特都要有玉米粒大小，可以想象一間的機房只能裝下不超過百k字節左右的容量。后來才出線現了焊接在主板上集成內存芯片，以內存芯片的形式為計算機的運算提供直接支持。那時的內存芯片容量都特別小，最常見的莫過于256K×1bit、1M×4bit，雖然如此，但這相對于那時的運算任務來說卻已經綽綽有余了。
內存條
內存芯片的狀態一直沿用到286初期，鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病，這對于計算機的發展造成了現實的阻礙。有鑒于此，內存條便應運而生了。將內存芯片焊接到事先設計好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內存插槽。這樣就把內存難以安裝和更換的問題徹底解決了。
在80286主板發布之前，內存并沒有被世人所重視，這個時候的內存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，對于當時PC所運行的工作程序來說，這種內存的性能以及容量足以滿足當時軟件程序的處理需要。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺的出現，程序和硬件對內存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴大容量，內存必須以獨立的封裝形式出現，因而誕生了“內存條”概念。
在80286主板剛推出的時候，內存條采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，單邊接觸內存模組）接口，容量為30pin、256kb，必須是由8 片數據位和1 片校驗位組成1 個bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年PC進入民用市場一直到現在，搭配80286處理器的30pin SIMM內存是內存領域的開山鼻祖。
隨后，在1988 ～1990 年當中，PC 技術迎來另一個發展高峰，也就是386和486時代，此時CPU 已經向16bit 發展，所以30pin SIMM內存再也無法滿足需求，其較低的內存帶寬已經成為急待解決的瓶頸，所以此時72pin SIMM 內存出現了，72pin SIMM支持32bit快速頁模式內存，內存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內存單條容量一般為512KB ～2MB，而且僅要求兩條同時使用，由于其與30pin SIMM 內存無法兼容，因此這個時候PC業界毅然將30pin SIMM 內存淘汰出局了。
EDO DRAM（Extended Date Out RAM 外擴充數據模式存儲器）內存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內存條，EDO DRAM同FPM DRAM（Fast Page Mode RAM 快速頁面模式存儲器）極其相似，它取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應用在當時的486及早期的Pentium電腦上。
在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個尷尬的情況，那就是這幾年內存技術發展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDO DRAM有72 pin和168 pin并存的情況，事實上EDO內存也屬于72pin SIMM 內存的范疇，不過它采用了全新的尋址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，憑借著制作工藝的飛速發展，此時單條EDO內存的容量已經達到4 ～16MB。由于Pentium及更高級別的CPU數據總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDO DRAM與FPM DRAM都必須成對使用。
SDRAM
自Inb Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關的主板芯片組推出后，EDO DRAM內存性能再也無法滿足需要了，內存技術必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構的需求，此時內
●高端內存（HMA）擴展內存中的第一個64KB區域（1024KB～1088KB）。由HIMEM.SYS建立和管理。
●XMS內存符合XMS規范管理的擴展內存區。其驅動程序為HIMEM.SYS。
●EMS內存符合EMS規范管理的擴充內存區。其驅動程序為EMM386.EXE等。內存：隨機存儲器（RAM），主要存儲正在運行的程序和要處理的數據。
頻率
內存主頻和CPU主頻一樣，習慣上被用來表示內存的速度，它代表著該內存所能達到的最高工作頻率。內存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計量的。內存主頻越高在一定程度上代表著內存所能達到的速度越快。內
內存頻率測試圖
內存頻率測試圖
存主頻決定著該內存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內存頻率是800MHz的DDR2內存，以及一些內存頻率更高的DDR3內存。
大家知道，計算機系統的時鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動起來，這一震動可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動以正弦調和變化的電流的形式表現出來，這一變化的電流就是時鐘信號。而內存本身并不具備晶體振蕩器，因此內存工作時的時鐘信號是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時鐘發生器提供的，也就是說內存無法決定自身的工作頻率，其實際工作頻率是由主板來決定的。
DDR內存和DDR2內存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內存顆粒實際的工作頻率，但是由于DDR內存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的兩倍；而DDR2內存每個時鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。
發展
在計算機誕生初期并不存在內存條的概念，最早的內存是以磁芯的形式排列在線路上，每個磁芯與晶體管組成的一個雙穩態電路作為一比特（BIT）的存儲器，每一比特都要有玉米粒大小，可以想象一間的機房只能裝下不超過百k字節左右的容量。后來才出線現了焊接在主板上集成內存芯片，以內存芯片的形式為計算機的運算提供直接支持。那時的內存芯片容量都特別小，最常見的莫過于256K×1bit、1M×4bit，雖然如此，但這相對于那時的運算任務來說卻已經綽綽有余了。
內存條
內存芯片的狀態一直沿用到286初期，鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病，這對于計算機的發展造成了現實的阻礙。有鑒于此，內存條便應運而生了。將內存芯片焊接到事先設計好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內存插槽。這樣就把內存難以安裝和更換的問題徹底解決了。
在80286主板發布之前，內存并沒有被世人所重視，這個時候的內存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，對于當時PC所運行的工作程序來說，這種內存的性能以及容量足以滿足當時軟件程序的處理需要。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺的出現，程序和硬件對內存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴大容量，內存必須以獨立的封裝形式出現，因而誕生了“內存條”概念。
在80286主板剛推出的時候，內存條采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，單邊接觸內存模組）接口，容量為30pin、256kb，必須是由8 片數據位和1 片校驗位組成1 個bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年PC進入民用市場一直到現在，搭配80286處理器的30pin SIMM內存是內存領域的開山鼻祖。
隨后，在1988 ～1990 年當中，PC 技術迎來另一個發展高峰，也就是386和486時代，此時CPU 已經向16bit 發展，所以30pin SIMM內存再也無法滿足需求，其較低的內存帶寬已經成為急待解決的瓶頸，所以此時72pin SIMM 內存出現了，72pin SIMM支持32bit快速頁模式內存，內存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內存單條容量一般為512KB ～2MB，而且僅要求兩條同時使用，由于其與30pin SIMM 內存無法兼容，因此這個時候PC業界毅然將30pin SIMM 內存淘汰出局了。
EDO DRAM（Extended Date Out RAM 外擴充數據模式存儲器）內存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內存條，EDO DRAM同FPM DRAM（Fast Page Mode RAM 快速頁面模式存儲器）極其相似，它取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應用在當時的486及早期的Pentium電腦上。
在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個尷尬的情況，那就是這幾年內存技術發展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDO DRAM有72 pin和168 pin并存的情況，事實上EDO內存也屬于72pin SIMM 內存的范疇，不過它采用了全新的尋址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，憑借著制作工藝的飛速發展，此時單條EDO內存的容量已經達到4 ～16MB。由于Pentium及更高級別的CPU數據總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDO DRAM與FPM DRAM都必須成對使用。
SDRAM
自Inb Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關的主板芯片組推出后，EDO DRAM內存性能再也無法滿足需要了，內存技術必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構的需求，此時內
