產品詳情
| 產品參數 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | VISHAY\/威世 | ||
| 封裝 | SOP-8 | ||
| 批號 | 23 | ||
| 數量 | 50000 | ||
| 制造商 | Vishay | ||
| 產品種類 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安裝風格 | SMD\/SMT | ||
| 封裝 \/ 箱體 | SOIC-8 | ||
| 晶體管極性 | N-Channel | ||
| 通道數量 | 2 Channel | ||
| Vds-漏源極擊穿電壓 | 20 V | ||
| Id-連續漏極電流 | 8 A | ||
| Rds On-漏源導通電阻 | 18 mOhms | ||
| Vgs - 柵極-源極電壓 | - 12 V, 12 V | ||
| Vgs th-柵源極閾值電壓 | 600 mV | ||
| Qg-柵極電荷 | 22 nC | ||
| 最小工作溫度 | - 55 C | ||
| 最大工作溫度 | 150 C | ||
| Pd-功率耗散 | 3.1 W | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 系列 | SI9 | ||
| 配置 | Dual | ||
| 下降時間 | 12 ns | ||
| 正向跨導 - 最小值 | 45 S | ||
| 高度 | 1.75 mm | ||
| 長度 | 4.9 mm | ||
| 上升時間 | 10 ns | ||
| 晶體管類型 | 35 ns | ||
| 典型關閉延遲時間 | 15 ns | ||
| 典型接通延遲時間 | 3.9 mm | ||
| 寬度 | SI9926CDY-GE3 | ||
| 型號 | SI9926CDY-T1-GE3 | ||


