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1958年美國通用電氣（GE）公司研發出世界上個工業用普通晶閘管，標志著電力電子技術的誕生。從此半導體功率器件的研制及應用得到了飛速發展。半導體功率器件根據功能分，可以分為三類：不可控、半控型、全控型。不可控功率器件:功率整流二極管是以半導體PN結為基礎的,實際上是由一個面積較大的PN結和兩端引線以及封裝組成的?？旎謴投O管采用外延型PiN結構，其反向恢復時間短（可低于50ns），正向壓降也很低（0.9V左右）。肖特基二極管是用金屬（Ti、Ni等）代替了PN結中的P型半導體，為多子器件，具有更低的正向壓降和更好的開關特性，反向恢復時間很短（10~40ns），有利于控制開關損耗，但耐壓較低一般低于200V，且反向漏電較大對溫度。
1958年美國通用電氣（GE）公司研發出世界上個工業用普通晶閘管，標志著電力電子技術的誕生。從此半導體功率器件的研制及應用得到了飛速發展。半導體功率器件根據功能分，可以分為三類：不可控、半控型、全控型。不可控功率器件:功率整流二極管是以半導體PN結為基礎的,實際上是由一個面積較大的PN結和兩端引線以及封裝組成的?？旎謴投O管采用外延型PiN結構，其反向恢復時間短（可低于50ns），正向壓降也很低（0.9V左右）。肖特基二極管是用金屬（Ti、Ni等）代替了PN結中的P型半導體，為多子器件，具有更低的正向壓降和更好的開關特性，反向恢復時間很短（10~40ns），有利于控制開關損耗，但耐壓較低一般低于200V，且反向漏電較大1958年美國通用電氣（GE）公司研發出世界上個工業用普通晶閘管，標志著電力電子技術的誕生。從此半導體功率器件的研制及應用得到了飛速發展。半導體功率器件根據功能分，可以分為三類：不可控、半控型、全控型。不可控功率器件:功率整流二極管是以半導體PN結為基礎的,實際上是由一個面積較大的PN結和兩端引線以及封裝組成的?？旎謴投O管采用外延型PiN結構，其反向恢復時間短（可低于50ns），正向壓降也很低（0.9V左右）。肖特基二極管是用金屬（Ti、Ni等）代替了PN結中的P型半導體，為多子器件，具有更低的正向壓降和更好的開關特性，反向恢復時間很短（10~40ns），有利于控制開關損耗，但耐壓較低一般低于200V，且反向漏電較大
西門康semikron可控硅SKT760/16E SKT1200/16E SKT1200/20E
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